好意思光晓示推出大家首款基于G9工艺节点的UFS 4.1、UFS 3.1闪存女同 t，新款闪存将提供内置AI功能，预测将在好意思光1y LPDDR5X芯片推出后不久诈骗于旗舰修复之中。

据好意思光泄露，G9工艺的新存储芯片，具备更高的能效和读写速率。存储容量横跨256GB至1TB之间，适用于旗舰智高手机和折叠屏手机。

除了工艺上的改良以外，好意思光还情愿进行一些软件退换升级，并剖判过AI功能来改善性能体验。新款的UFS 4.1闪存将赞助分区UFS，提高了读写后果并减少了写入放大效应；数据碎屑整理可将UFS修复里面的数据再行定位，男女性爱碎屑整理后果提高60%。缓冲区中的数据造访速率最高可进步30%。上述功能为UFS 4.1闪存所独到的，智能蔓延追踪器通过分析蔓延日记自动进行调试则在新的UFS 3.1中也能收尾。

虽然，以高潮级主要适用于新款闪存，单纯的UFS 4.1闪存，其实与正本的UFS 4.0差距不大，毕竟在最大传输速率上，两个尺度是莫得分手的。

UFS 4.1比拟UFS 4.0，主要的分手在于后果，UFS 4.1不错由操作系统平直发起碎屑整理，操作系统也能随时革新缓冲区的肯求，不需要强制通过主控来收尾，因此系统能更实时地进行性能优化。

另外，UFS 4.1是赞助比较低价的QLC颗粒的，因此更多的主流高性能定位机型女同 t，王人可能会接管旗舰规格的闪存。